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IBM成功研发2nm芯片问世,性能提升45%●!

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文章出处:骊微电子责任编辑:电源管理芯片人气:-发表时间:2021-05-08 13:58
  如今全球最先进的芯片制程是5nm,台积电和三星都掌握了这项量产工艺,并且在更先进的4nm,3nm领域展开布局,近日,IBM公司宣布,他们已经创造了世界上第一个2nm芯片制程,并称是世界首创。
 
  
  2nm制程芯片首次采用了底部电阻隔离通道技术(bottom dieletric isolation channel),使12纳米的栅极长度成为可能;其内部隔离器则采用第二代干法工艺设计,有助于纳米片的开发。此外,2nm制程芯片的基板工序(FEOL)采用了极紫外线光刻(EUV)技术进行加工。
  
  据外媒报道,IBM 2nm制程或能在每平方毫米芯片上集成3.33亿个晶体管。相比之下,台积电5nm制程每平方毫米约有1.71亿个晶体管,三星5nm制程每平方毫米约有1.27亿个晶体管。
  
  2nm制程技术或能实现在“指甲盖”大小的芯片上集成约500亿晶体管,相比当下最先进的5nm芯片体积更小,速度更快;性能和功耗方面,相比7nm芯片,2nm芯片的性能可提升45%、功耗有望降低75%;且在续航方面,使用2nm芯片设备的电池寿命或是使用7nm芯片设备的4倍。
  
  2nm制程芯片相比现有可量产的7nm、5nm制程芯片,在晶体管密度、性能、功耗等方面能实现大幅提升,据相关报道称,IBM已与三星、英特尔签署了联合开发协议。
  
  芯片上更多的晶体管也意味着处理器设计人员拥有更多的选择,目前该技术仍在概念验证阶段,可能还需几年才能投入市场。2nm制程芯片制造技术,能够助力手机、数据中心、PC、自动驾驶等领域应用实现性能飞跃。
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